SPEC NO: DSAB8587 REV NO: V.10 DATE: MAR/04/2011
PAGE: 2 OF 6
APPROVED: WYNEC CHECKED: Joe Lee DRAWN: J.Yu
ERP: 1302000054
Selection Guide
Note:
1. Luminous intensity/ luminous Flux: +/-15%.
Absolute Maximum Ratings at TA=25°C
Electrical / Optical Characteristics at TA=25°C
Notes:
1.Wavelength: +/-1nm.
2. Forward Voltage: +/-0.1V.
Notes:
1. 1/10 Duty Cycle, 0.1ms Pulse Width.
2. 2mm below package base.
Part No.
Dice
Lens Type
Iv (ucd) [1]
@ 10mA
Min.
Typ.
DA03-11YWA
Yellow (GaAsP/GaP)
White Diffused
900
2200
Common Anode
Description
Symbol
Parameter
Device
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
λpeak
Peak Wavelength
Yellow
590
nm
IF=20mA
λD [1]
Dominant Wavelength
Yellow
588
nm
IF=20mA
Δλ1/2
Spectral Line Half-width
Yellow
35
nm
IF=20mA
C
Capacitance
Yellow
20
pF
VF=0V;f=1MHz
VF
[2]
Forward Voltage
Yellow
2.1
2.5
V
IF=20mA
IR
Reverse Current
Yellow
10
uA
VR=5V
Parameter
Yellow
Units
Power dissipation
75
mW
DC Forward Current
30
mA
Peak Forward Current [1]
140
mA
Reverse Voltage
5
V
Operating / Storage Temperature
-40°C To +85°C
Lead Solder Temperature[2]
260°C For 3-5 Seconds
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